关于MOSFET(MOS管）的简介

　　MOSFET简介
　　v它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。MOSFET共有三个脚，一般为G(栅极)、S(源极)及D(漏极)，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。
　　v功率MOSFET是一种多子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。
　　v自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：
　　v如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善。并开发出各种贴片式功率MOSFET，另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。
　　v电压控制元件
　　v三极管基极与发射极间内阻较小，并且基极电流与集电极电流有对应关系，所以说三极管是电流控制元件。场效应管在控制端与漏极源极间电阻很大，几乎无电流，而靠控制极上施加的电压大小引起漏源极间电流发生变化，所以说场效应管是电压控制元件。
　　v功率MOSFET的特点
　　v功率MOSFET与双极型功率相比具有如下特点：
　　v1．MOSFET是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单；
　　v2．输入阻抗高，可达108Ω以上；
　　v3．工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；
　　v4．有较优良的线性区，并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作Hi-Fi音响；
　　v5．功率MOSFET可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。